Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3 terminal. Secara harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘ Transfer resistor’, yaitu suatu komponen yang nilai resistansi antara terminalnya dapat diatur. Secara umum transistor terbagi dalam 3 jenis :
- Transistor Bipolar
- Transistor Unipolar
- Transistor Unijunction
Transistor bipolar bekerja dengan 2 macam carrier, sedangkan unipolar satu macam saja, hole atau electron. Beberapa perbandingan transistor bipolar dan unipolar :
Bipolar
|
Unipolar
|
|
Dimensi
Daya Bandwidth Respon Jenis Input Impendansi Input |
Besar
Besar
Lebar
Tinggi
Arus
Sedang
|
Kecil
Kecil
Sempit
Sedang
Tegangan
Tinggi
|
Pada transistor bipolar,
arus yang mengalir berupa arus lubang (hole) dan arus electron atau
berupa pembawa muatan mayoritas dan minoritas. Transistor dapat berfungsi sebagai penguat tegangan, penguat arus, penguat daya atau sebagai saklar. Ada 2 jenis transistor yaitu PNP dan NPN.
Transistor di desain dari pemanfaatan
sifat diode, arus menghantar dari diode dapat dikontrol oleh electron
yang ditambahkan pada pertemuan PN diode. Dengan penambahan elekdiode
pengontrol ini, maka diode semi-konduktor dapat dianggap dua buah diode
yang mempunyai electrode bersama pada pertemuan. Junction semacam ini
disebut transistor bipolar dan dapat digambarkan sebagai berikut :
Dengan memilih electrode pengontrol dari type P atau type N sebagai electrode persekutuan antara dua diode, maka dihasilkan transistor jenis PNP dan NPN.
Transistor dapat bekerja apabila diberi tegangan, tujuan pemberian
tegangan pada transistor adalah agar transistor tersebut dapat mencapai
suatu kondisi menghantar atau menyumbat. Baik transistor NPN
maupun PNP tegangan antara emitor dan basis adalah forward bias,
sedangkan antara basis dengan kolektor adalah reverse bias.
Dari cara pemberian tegangan muka didapatkan dua kondisi yaitu menghantar dan menyumbat seperti pada gambar transistor NPN dibawah ini.
Pemberian tegangan pada transistor
Tegangan pada Vcc jauh lebih besar dari
tegangan pada Veb. Diode basis-emitor mendapat forward bias, akibatnya
electron mengalir dari emitor ke basis, aliran electron ini disebut arus
emitor (IE). Elektron electron ini tidak mengalir dari kolektor ke
basis, tetapi sebaliknya sebagian besar electron-elektron yang berada
pada emitor tertarik ke kolektor, karena tegangan Vcc jauh lebih besar
dari pada tegangan Veb dan mengakibatkan aliran electron dari emitor
menuju kolektor melewati basis. Electron-elektron ini tidak semuanya
tertarik ke kolektor tetapi sebagian kecil menjadi arus basis (IB).
Penguatan Transistor
αdc = IC / IE (perbandingan antara arus kolektor dengan arus emitter) Berdasarkan hukum kirchoff :
IE = IB + IC : IC
IE/IC = IB / IC + IC / IC
1/αdc = 1 / βdc + 1
1/αdc = 1/βdc + βdc/βdc
1/αdc = 1 + βdc / βdc
αdc = βdc / 1 + βdc
IE/IC = IB / IC + IC / IC
1/αdc = 1 / βdc + 1
1/αdc = 1/βdc + βdc/βdc
1/αdc = 1 + βdc / βdc
αdc = βdc / 1 + βdc
βdc= IC / IB (perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis)
IE=IB+IC : IC
IE/IC=IB/IC+IC/IC
1/αdc = 1 / βdc + 1
1/βdc = 1 / αdc – 1
1/βdc = 1 / αdc – αdc / αdc
1/βdc = 1 – αdc / αdc
βdc = αdc / 1 – αdc
IE/IC=IB/IC+IC/IC
1/αdc = 1 / βdc + 1
1/βdc = 1 / αdc – 1
1/βdc = 1 / αdc – αdc / αdc
1/βdc = 1 – αdc / αdc
βdc = αdc / 1 – αdc
Daerah kerja transistor
Daerah kerja transistor dapat dibagi dalam 3 bagian sebagai berikut :- daerah aktif
suatu transistor
berada didaerah aktif apabila diode basis emitter dibias forward dan
diode basis kolektor berada dibias reverse.
- daerah saturasi
suatu transistor berada didaerah saturasi
apabila diode basis emitter di bias forward dan diode basis kolektor
berada dibias forward.
- daerah cutoff
suatu transistor berada pada kondisi cutoff apabila keduanya berada pada bias reverse.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar